IRFH5210TRPBF

1. Perdite di conduzione inferiori
2. Consente una migliore dissipazione termica
3. Maggiore affidabilità
4. Densità di potenza aumentata
5. Compatibilità multi-fornitore
6. Produzione più semplice
7. Rispettoso dell'ambiente
8. Maggiore affidabilità

Codice produttore: IRFH9310TRPBF
Produttore / MarchioInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS: senza piombo / conforme a RoHS
Condizione stock: nuovo originale, 12000 pezzi disponibili.
Spedire da: Hong Kong
Modalità di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS
Attributo prodotto Attributo Valore Seleziona attributo
Numero parte IRFH9310TRPBF
Produttore / Marchio International Rectifier (Infineon Technologies)
Stock Quantità 12000 pezzi Stock
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor - FET, MOSFET - Singolo
Descrizione MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS: senza piombo / conforme a RoHS
Larghezza - Interno -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione/Corrente - Uscita 1 PQFN (5x6)
Tolleranza 5250pF @ 15V
Tipo di coda P-Channel
MOSFET ad angolo di passo (ossido di metallo)
Shrink Temperature Tecnologie Infineon
Tipo SFP/XFP ±20V
Capacità remota HEXFET®
Passo - Montaggio superficiale del cavo
Altri nomi Senza piombo / Conformità RoHS
Altri nomi 1
Oscillatore Tipo 8-PowerVDFN
Numero di DAC 30V
Gravità specifica minima del liquido -
Orientamento dell'accoppiamento 4,6 mOhm a 21 A, 10 V
Codice produttore IRFH9310TRPBFDKR-ND
Lunghezza - Cilindro Digi-Reel®
Colore della lampada 4,5 V, 10 V
Tensione lato alta - Max (Bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Funzione 58nC @ 4.5V
Potenza della bobina attiva
Capacità del canale (CS(off), CD(off)) 3,1 W (Ta)
Tipo di lettore di schede 2,4 V a 100 µA
Caratteristiche e vantaggi
Caratteristiche Vantaggi risultanti
RDSon basso (≤ 4,6 mΩ) Perdite di conduzione inferiori
Pacchetto PQFN standard di settore Compatibilità multivendor
A norma RoHS Non contiene piombo, bromuro e alogeni Rispettoso dell'ambiente
risulta in
Nota
Forma Quantità
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm nastro e bobina 4000
Codice articolo ordinabile Tipo di confezione Conf. standard
VDS-30 V
RDS (acceso) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipico) 110 nC
RG (tipico) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Valutazioni massime assolute
Parametro Unità
Tensione drain-to-source VDS
Tensione VGS gate-to-source
ID @ TA = 25°C Corrente di scarico continua, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Corrente di scarico continua, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Corrente di scarico continua, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Corrente di scarico continua, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Corrente di scarico continua, VGS @ -10V (confezione limitata)
Corrente di scarico pulsata IDM
PD @TA = 25°C Dissipazione di potenza
PD @ TA = 70°C Dissipazione di potenza
Fattore di derating lineare W/°C
Giunzione operativa TJ e
Intervallo di temperatura di stoccaggio TSTG
Valutazione ripetitiva;larghezza di impulso limitata da max.temperatura di giunzione.
TJ iniziale = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Ampiezza impulso ≤ 400µs;ciclo di lavoro ≤ 2%.
Se montato su una scheda di rame quadrata da 1 pollice.
Rθ è misurato a TJ di circa 90°C.
SOLO PER AIUTO ALLA PROGETTAZIONE, non soggetto a test di produzione.